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Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
500
8
I D = 1.2 A
V DD = 50 V
C iss
6
V DD = 25 V
V DD = 75 V
10
C oss
4
1
2
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
2
1
10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
T J = 25 o C
T J = 100 o C
1
THIS AREA IS
100 us
1 ms
T J = 125 o C
0.1
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 180 o C/W
10 ms
100 ms
1s
0.1
0.01
0.1
1
10
0.01
0.005
0.1
T A = 25 o C
1
10
10 s
DC
100
400
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Forward Bias Safe
Operating Area
100
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
R θ JA = 180 C/W
T A = 25 C
o
o
10
1
10
10
10
10
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC8602 Rev.C1
4
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